Egan® FET -Treiber und Layout -Überlegungen
Bei der Betrachtung der Anforderungen an die Gate -Antrieb sind die drei wichtigsten Parameter für Egan -FETs (1) die maximal zulässige Gate -Spannung, (2) die Gate -Schwellenspannung und (3) den Spannungsabfall „Körperdioden“.
Egan -FETs unterscheiden sich aufgrund ihrer deutlich schnelleren Schaltgeschwindigkeiten von ihren Silizium -Gegenstücken und haben folglich unterschiedliche Anforderungen für Gate -Laufwerk, Layout und thermisches Management, die alle interaktiv sein können.
Laden Sie diesen Whitepaper herunter, um mehr zu erfahren.
Weiterlesen
Mit dem Absenden dieses Formulars stimmen Sie zu Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Kontaktaufnahme mit Ihnen marketingbezogene E-Mails oder per Telefon. Sie können sich jederzeit abmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Webseiten u Mitteilungen unterliegen ihrer Datenschutzerklärung.
Indem Sie diese Ressource anfordern, stimmen Sie unseren Nutzungsbedingungen zu. Alle Daten sind geschützt durch unsere Datenschutzerklärung. Bei weiteren Fragen bitte mailen dataprotection@techpublishhub.com
Related Categories: Halbleiter, Kondensatoren, Kühlung, Leistung
Weitere Ressourcen von Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Verbesserung der Effizienz der DC-DC-Vorwärt...
DC-DC-Konverter-Designer können bei niedrigeren Stromniveaus eine höhere Leistungsdichte erzielen, indem Vorwärtswandler mit synchroner Gleichbe...
Egan® -FETs für die Hüllkurvenverfolgung
Gallium-Nitrid-Transistoren können verwendet werden, um die Effizienz der DC-DC-Umwandlung zu verbessern.
In diesem Whitepaper betrachten wi...
GALIUM NITRIDE (GAN) -Technologieübersicht
Seit über drei Jahrzehnten zeigten die Effizienz und die Kosten für die Energieverwaltung eine stetige Verbesserung, da die Innovationen in den M...
