In diesem Whitepaper wird die Egan -FET -Technologie in einem hochfrequenten Resonanzwandler angewendet. Zuvor wurden die Vorteile von Egan-FETs be...

Obwohl der Egan-FET als Leistungsschaltgerät entworfen und optimiert wurde, weist er auch gute HF-Eigenschaften auf. Der kleinste 200 -V -FET, EPC...

Die unregulierte Leistung in einem regulierten Design liefert eine beispiellose Stromdichte.
Niedrige Qoss, Null -QRR und niedrige QGD sowie ...