Egan® FET Small Signal RF Leistung
Obwohl der Egan-FET als Leistungsschaltgerät entworfen und optimiert wurde, weist er auch gute HF-Eigenschaften auf. Der kleinste 200 -V -FET, EPC2012, wurde für die RF -Bewertung ausgewählt und sollte als Ausgangspunkt angesehen werden, aus dem die HF -Eigenschaften der zukünftigen Egan -FET -Teilenzahlen für eine noch bessere HF -Leistung bei höheren Frequenzen optimiert werden können.
Dieses Papier konzentriert sich auf die HF -Charakterisierung im Frequenzbereich von 200 MHz bis 2,5 GHz.
Weiterlesen
Mit dem Absenden dieses Formulars stimmen Sie zu Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Kontaktaufnahme mit Ihnen marketingbezogene E-Mails oder per Telefon. Sie können sich jederzeit abmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Webseiten u Mitteilungen unterliegen ihrer Datenschutzerklärung.
Indem Sie diese Ressource anfordern, stimmen Sie unseren Nutzungsbedingungen zu. Alle Daten sind geschützt durch unsere Datenschutzerklärung. Bei weiteren Fragen bitte mailen dataprotection@techpublishhub.com
Related Categories: Anschlüsse, Halbleiter, Induktoren, Kühlung, Leistung
Weitere Ressourcen von Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Tote Zeitoptimierung für maximale Effizienz
In diesem Whitepaper setzt EPC die Erforschung von Optimierungsproblemen fort und untersucht die Auswirkungen der Totenzeit auf die Systemeffizienz...
Egan® -FETs für die Hüllkurvenverfolgung
Gallium-Nitrid-Transistoren können verwendet werden, um die Effizienz der DC-DC-Umwandlung zu verbessern.
In diesem Whitepaper betrachten wi...
Optimierung des PCB -Layouts
In diesem Whitepaper wird die Optimierung des PCB -Layouts für einen POL -Buck -Konverter (POL) auf Egan FET basieren, der die herkömmlichen Desi...
