Egan® FET Elektrische Eigenschaften
In diesem Artikel werden die grundlegenden elektrischen Eigenschaften von Egan -FETs erklärt und mit Silizium -MOSFETs verglichen. Ein gutes Verständnis der Ähnlichkeiten und Unterschiede zwischen diesen beiden Technologien ist eine notwendige Grundlage, um zu verstehen, wie viel wir bestehende Leistungsumwandlungssysteme verbessern können.
Jeder Halbleiter hat eine Grenze für seine Fähigkeiten. Diese Grenzwerte werden in der Regel in einem Gerätedatenblatt prominent ausgedrückt und dienen als Leitfaden für Designer, wie Designs erstellt werden, die keine versteckten Qualitäts- oder Zuverlässigkeitsprobleme haben.
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