Verbessern Sie die Effizienz des DC-DC-Flyback-Konverters mit Egan-FETs
DC-DC-Konverter-Designer können bei niedrigen Stromdichten mit Niedrigstromdichten und dem Verbesserungsmodus Gallium-Nitrid-Transistoren mit Flyback-Konvertern und Verbesserungsmodus erzielen. Um die Leistung von Egan -FETs in einem Flyback -Wandler zu bewerten, wurden zwei verschiedene Konverterkonstruktionen erstellt und mit MOSFET -äquivalenten Versionen desselben Designs verglichen.
Beide Konverter wurden auf Ethernet (POE) mit geringer Leistung (13 -W) -Power -Geräte (PD) -Anwendungen (POE) ausgerichtet. Der erste dieser beiden Konverter richtete sich auf kleine Größe Das zweite Design zielte auf hohe Effizienz.
Laden Sie diesen Whitepaper herunter, um mehr zu erfahren.
Weiterlesen
Mit dem Absenden dieses Formulars stimmen Sie zu Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Kontaktaufnahme mit Ihnen marketingbezogene E-Mails oder per Telefon. Sie können sich jederzeit abmelden. Efficient Power Conversion Corporation (EPC) Webseiten u Mitteilungen unterliegen ihrer Datenschutzerklärung.
Indem Sie diese Ressource anfordern, stimmen Sie unseren Nutzungsbedingungen zu. Alle Daten sind geschützt durch unsere Datenschutzerklärung. Bei weiteren Fragen bitte mailen dataprotection@techpublishhub.com
Related Categories: Leistung
Weitere Ressourcen von Efficient Power Conversion Corporation (EPC)
Egan® FET Elektrische Eigenschaften
In diesem Artikel werden die grundlegenden elektrischen Eigenschaften von Egan -FETs erklärt und mit Silizium -MOSFETs verglichen. Ein gutes Verst...
Tote Zeitoptimierung für maximale Effizienz
In diesem Whitepaper setzt EPC die Erforschung von Optimierungsproblemen fort und untersucht die Auswirkungen der Totenzeit auf die Systemeffizienz...
GALIUM NITRIDE (GAN) -Technologieübersicht
Seit über drei Jahrzehnten zeigten die Effizienz und die Kosten für die Energieverwaltung eine stetige Verbesserung, da die Innovationen in den M...
